采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€86W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N055KLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€120W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€86W
阈值电压：2.4V@200µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€86W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
