品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.2V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R8-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5347pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:30.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5137pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":1136,"22+":3200,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6607-55C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5160pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€136W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3042}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK963R2-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10502pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4461pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB072N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5470pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:54.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8167pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8403TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3171pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@76A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: