采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1378，"14+"：23935，"15+"：354}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4904NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3052pF@15V
连续漏极电流：13A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1378，"14+"：23935，"15+"：354}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4904NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3052pF@15V
连续漏极电流：13A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
输入电容：1686pF@20V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
栅极电荷：41nC@10V
连续漏极电流：10.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4904NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3052pF@15V
连续漏极电流：13A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4904NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3052pF@15V
连续漏极电流：13A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
