采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
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功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
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功率：3W€136W
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
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栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：20A€132A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：20A€132A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：19.5A€131A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：20A€132A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS3D6N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：3V@270µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4411pF@50V
连续漏极电流：20A€132A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@48A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
