品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
漏源电压:40V
输入电容:2300pF@20V
栅极电荷:64nC@10V
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16.8A€70A
功率:2.6W
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD604
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
类型:N和P沟道
连续漏极电流:8A
功率:1.6W€1.7W
输入电容:404pF@20V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:33mΩ@8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:39A
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:66W
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1250pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
功率:3W€136W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4189
输入电容:1870pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:2.5W€62.5W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:22mΩ@12A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
漏源电压:40V
输入电容:2300pF@20V
栅极电荷:64nC@10V
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:2N沟道(双)
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
输入电容:11200pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:350nC@10V
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
功率:3.75W€375W
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4213}
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
包装方式:卷带(TR)
功率:153W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:11.2nC@10V
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
功率:3W€136W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
功率:3W€136W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD454A
连续漏极电流:20A
导通电阻:30mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€37W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:10.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:650pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
漏源电压:40V
功率:2.5W€62.5W
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:40A
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:3360pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:8320pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
功率:333W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
漏源电压:40V
输入电容:2300pF@20V
栅极电荷:64nC@10V
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB4184
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A€50A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1800pF@20V
栅极电荷:35nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2960}
规格型号(MPN):FDMS8350LET40
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:49A€300A
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:16590pF@20V
功率:3.33W€125W
栅极电荷:219nC@10V
导通电阻:0.85mΩ@47A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:2.1W
导通电阻:15mΩ@10A,10V
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:67nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: