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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:64A

    漏源电压:40V

    输入电容:2300pF@20V

    栅极电荷:64nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:16.8A€70A

    功率:2.6W

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1895pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD604 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD604 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD604

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    连续漏极电流:8A

    功率:1.6W€1.7W

    输入电容:404pF@20V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:33mΩ@8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:990mW

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:39A

    漏源电压:40V

    导通电阻:24mΩ@8,2A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    功率:66W

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1250pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4189

    输入电容:1870pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:2.5W€62.5W

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:22mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    连续漏极电流:27A€141A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    输入电容:5300pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:64A

    漏源电压:40V

    输入电容:2300pF@20V

    栅极电荷:64nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8240LET40 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8240LET40 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1329}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8240LET40

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:4230pF@20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:50W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:24A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.6mΩ@23A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3

    输入电容:11200pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:350nC@10V

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    功率:3.75W€375W

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:15.5A€100A

    类型:N沟道

    功率:2.7W€150W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1895pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":4213}

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:153W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:60nC@5V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:990mW

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:11.2nC@10V

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9407L-F085

    功率:227W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:125nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V

    连续漏极电流:100A

    输入电容:6700pF@25V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    输入电容:1088pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:2.99W€55.5W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:15.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A 起订7500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A 起订7500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD454A

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€37W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:10.8nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:650pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    连续漏极电流:27A€141A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    输入电容:5300pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    漏源电压:40V

    功率:2.5W€62.5W

    栅极电荷:55nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:40A

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409L-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409L-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9409L-F085

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    栅极电荷:68nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:3360pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9503L-F085

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    输入电容:8320pF@20V

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:255nC@10V

    功率:333W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:64A

    漏源电压:40V

    输入电容:2300pF@20V

    栅极电荷:64nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB4184 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB4184 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):AOB4184

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A€50A

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1800pF@20V

    栅极电荷:35nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8350LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8350LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":2960}

    规格型号(MPN):FDMS8350LET40

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:49A€300A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:16590pF@20V

    功率:3.33W€125W

    栅极电荷:219nC@10V

    导通电阻:0.85mΩ@47A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    输入电容:1088pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:2.99W€55.5W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:15.3nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:2.1W

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:67nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    输入电容:1088pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:2.99W€55.5W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:15.3nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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