品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
漏源导通电阻:500mΩ
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:225pF@100V
功率:68W
栅源击穿电压:1700V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2.2µA@1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120040B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:43nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@35A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
漏源导通电阻:500mΩ
类型:N通道
输入电容:225pF@100V
功率:68W
栅源击穿电压:1700V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2.2µA@1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
漏源导通电阻:500mΩ
类型:N通道
输入电容:225pF@100V
功率:68W
栅源击穿电压:1700V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2.2µA@1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:23nC@12V
类型:N沟道
输入电容:760pF@100V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
导通电阻:105mΩ@20A,12V
阈值电压:6V@10mA
连续漏极电流:27A
功率:136.4W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
输入电容:225pF@100V
功率:68W
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2.2µA@1700V
栅源击穿电压:1700V
工作温度:-55℃~175℃
类型:N通道
漏源导通电阻:500mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存: