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    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21357

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:21A€34A

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    功率:5W€30W

    输入电容:2830pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    功率:840mW

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:15660pF@15V

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:413nC@10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:15660pF@15V

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:413nC@10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":873,"22+":5490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4985NFTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W€22.73W

    类型:N沟道

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:16.3A€64A

    栅极电荷:29.4nC@10V

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32320C

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:650pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.5A

    功率:2.5W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:22mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1180pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    功率:5W€24.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32320C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32320C

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:650pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.5A

    功率:2.5W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:22mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3690pF@10V

    类型:N沟道

    功率:900mW

    连续漏极电流:17.6A

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1180pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:4930pF@15V

    功率:69.4W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:138nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:4930pF@15V

    功率:69.4W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:138nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32302

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:56A€220A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    输入电容:6060pF@15V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    功率:119W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP36326C 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP36326C 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP36326C

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21357

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A€36A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2830pF@15V

    类型:P沟道

    功率:5W€48W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":20000,"18+":4000}

    规格型号(MPN):NTTFS4985NFTWG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W€22.73W

    类型:N沟道

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:16.3A€64A

    栅极电荷:29.4nC@10V

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTAG 起订601个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4985NFTAG 起订601个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4985NFTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W€22.73W

    类型:N沟道

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:16.3A€64A

    栅极电荷:29.4nC@10V

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7810

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:6A

    导通电阻:14mΩ@6A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:50nC@10V

    类型:P沟道

    功率:5W€28W

    连续漏极电流:24A

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1995pF@15V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:50nC@10V

    类型:P沟道

    功率:5W€28W

    连续漏极电流:24A

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1995pF@15V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    输入电容:1415pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25.1nC@10V

    连续漏极电流:12.4A

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21307 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21307 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD21307

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    输入电容:1995pF@15V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:5.2W€69.4W

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.5Ω@7A,10V

    连续漏极电流:28A€101A

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    输入电容:2050pF@15V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOSP36326C 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP36326C 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP36326C

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    功率:840mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    输入电容:400pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:15660pF@15V

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:413nC@10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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