品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:21A€34A
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
功率:5W€30W
输入电容:2830pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
功率:840mW
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":873,"22+":5490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4985NFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.47W€22.73W
类型:N沟道
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:16.3A€64A
栅极电荷:29.4nC@10V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32320C
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:650pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.5A
功率:2.5W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:22mΩ@8.5A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21321
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€24A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1180pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
功率:5W€24.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32320C
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:650pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.5A
功率:2.5W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:22mΩ@8.5A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3690pF@10V
类型:N沟道
功率:900mW
连续漏极电流:17.6A
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21321
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€24A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1180pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
功率:5W€24.5W
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
功率:69.4W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:138nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
功率:69.4W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:138nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32302
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:56A€220A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
输入电容:6060pF@15V
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
功率:119W
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP36326C
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:15nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21357
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A€36A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
输入电容:2830pF@15V
类型:P沟道
功率:5W€48W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":20000,"18+":4000}
规格型号(MPN):NTTFS4985NFTWG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.47W€22.73W
类型:N沟道
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:16.3A€64A
栅极电荷:29.4nC@10V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4985NFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.47W€22.73W
类型:N沟道
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:16.3A€64A
栅极电荷:29.4nC@10V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:14mΩ@6A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:P沟道
功率:5W€28W
连续漏极电流:24A
导通电阻:11mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1995pF@15V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:P沟道
功率:5W€28W
连续漏极电流:24A
导通电阻:11mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1995pF@15V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
连续漏极电流:12.4A
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSD21307
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
功率:2W
输入电容:1995pF@15V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:5.2W€69.4W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
输入电容:2050pF@15V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP36326C
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:15nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
功率:840mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: