品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
功率:2.5W€5W
输入电容:4000pF@20V
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
连续漏极电流:9.9A€14A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
功率:6.25W€125W
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
栅极电荷:204nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
功率:69.4W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:138nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
功率:69.4W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:138nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
功率:2.5W€5W
输入电容:4000pF@20V
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
连续漏极电流:9.9A€14A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:5.2W€69.4W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
输入电容:2050pF@15V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:15660pF@15V
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:413nC@10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
功率:125W
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:4370pF@20V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:4370pF@20V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
输入电容:4000pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
功率:2.5W€5W
输入电容:4000pF@20V
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.9A€14A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
输入电容:4000pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:10500pF@20V
栅极电荷:204nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:144nC@10V
输入电容:4150pF@20V
类型:P沟道
功率:5W€39W
连续漏极电流:46A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.3W€14.7W
输入电容:1040pF@15V
导通电阻:9mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: