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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0402NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.6V@107µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@75V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0402NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.6V@107µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@75V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0402NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.6V@107µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@75V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10
漏源电压：150V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0402NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.6V@107µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@75V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：22mΩ@8A，10V
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：22mΩ@8A，10V
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：22mΩ@8A，10V
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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