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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：6.4A€8A
类型：P沟道
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
