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    包装方式: 卷带(TR)
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    栅极电荷: 15nC@4.5V
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:200+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

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    功率:2W€30W

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.8A€35A

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

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    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,1.8V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:49
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1612

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2154
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1882}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3433T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@5V

    连续漏极电流:2.35A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1479
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:631
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1233
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1200
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
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