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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9435CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551.57pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N15MC 起订211个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N15MC 起订211个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1128,"22+":3000,"23+":28655,"24+":3000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N15MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€108.7W

    阈值电压:4.5V@162µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2120pF@75V

    连续漏极电流:9.2A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@29A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ088N03MSGATMA1 起订977个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ088N03MSGATMA1 起订977个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":14758,"24+":3196}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ088N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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