采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
栅极电荷：0.35nC@4.5V
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-13
栅极电荷：0.35nC@4.5V
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
漏源电压：25V
输入电容：27.2pF@10V
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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