采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UDJ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：0.24A
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
