采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL6N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL6N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3000，"11+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN028N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN028N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN028N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN028N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
