首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    包装方式
    工作温度
    漏源电压
    20V
    行业应用
    栅极电荷
    类型
    连续漏极电流
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 7.5nC@4.5V
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN70XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN70XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN70XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧