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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 SI3134K-TP 起订26个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134K-TP 起订26个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134K-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@450mA,1.8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:79
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KWA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KWA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KEA-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KEA-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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