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    4.2nC@4.5V 3.4nC@4.5V 6.7nC@4.5V 47nC@8V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 90nC@10V 3nC@4.5V 12nC@10V 13nC@4.5V 95nC@10V 9.6nC@4.5V 8.3nC@4.5V 30nC@4.5V 6.5nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 8.7nC@10V 15.6nC@10V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 21nC@4.5V 11.6nC@4.5V 5.5nC@4.5V 15nC@4.5V 34nC@10V 22nC@5V 6nC@10V 23nC@10V 1.82nC@4.5V 10nC@4.5V 12.3nC@10V 4.8nC@4.5V 142nC@10V 18nC@10V 150nC@10V 62nC@10V 12nC@4.5V 32nC@4.5V 17nC@4.5V 3.9nC@4.5V 4nC@4.5V 7.8nC@4.5V 34nC@4.5V 10.4nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 6nC@4.5V 6.2nC@4.5V 8.6nC@4.5V 41nC@10V 53nC@10V 18nC@8V 6.3nC@4.5V 6.7nC@10V 66nC@5V 14.5nC@4.5V 17nC@10V 56nC@10V 5nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 2nC@8V 3.6nC@4.5V 32nC@10V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 60nC@10V 20.2nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 6.6nC@4.5V 44nC@4.5V 8.2nC@4.5V 7.5nC@4.5V 2.7nC@8V 4.8nC@10V 1.7nC@2.5V 300nC@10V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 133nC@10V 12.5nC@10V 2nC@10V 4.6nC@4.5V 78nC@10V 1.6nC@4.5V 3.5nC@4.5V 35nC@10V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 12nC@5V 2.8nC@10V 1.5nC@4.5V 8nC@8V 43nC@10V 2.3nC@4.5V 8.9nC@4.5V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 164nC@10V 110nC@10V 18nC@5V 230nC@4.5V 500nC@4.5V 2.3nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 62nC@5V 1.3nC@10V 3.5nC@4V 5.85nC@4.5V 99nC@10V 3.1nC@10V 3.3nC@4.5V 1.8nC@4.5V 1.65nC@4.5V 4.7nC@2.5V 16nC@8V 21.5nC@4.5V 8.3nC@8V 45nC@8V 12.3nC@4.5V 310nC@10V 42.3nC@10V 17.9nC@4.5V 17.5nC@4.5V 0.8nC@5V 0.9nC@10V 13.1nC@10V 48.5nC@4.5V 45.6nC@10V 0.75nC@4.5V 0.8nC@4.5V 0.9nC@4.5V 58.3nC@10V 17.8nC@4.5V 0.89nC@4.5V 0.88nC@4.5V 0.93nC@10V 25.8nC@8V 0.7nC@4.5V 78nC@4.5V 0.74nC@4.5V 0.41nC@4.5V 0.6nC@2.5V 0.5nC@4.5V 24nC@8V 0.31nC@4.5V 0.95nC@4.5V 17nC@8V 97nC@4.5V 20.3nC@4.5V 1.2nC@8V 10.6nC@4.5V 0.85nC@4.5V 20nC@8V 52.7nC@4.5V 0.281nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:4000+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3416_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:513pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3416_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:513pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3436-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416AE_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3416AE_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3416AE_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:836pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3436-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3436-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2416_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2416_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2416_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1177pF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3436-AU_R1_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3436-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A 起订141个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A 起订141个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:141
    谷峰 Mosfet场效应管 2302
    谷峰 Mosfet场效应管 2302

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    谷峰 Mosfet场效应管 2302
    谷峰 Mosfet场效应管 2302

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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