品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415AE_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2323CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415AE_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2305
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3413_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:522pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415A-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415A-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: