采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
