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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订12个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订12个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订6000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订6000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订38个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订38个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UVT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:4.6A€3.2A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2025UFDBQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2025UFDBQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2025UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA€1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V€642pF@10V

    连续漏极电流:6A€3.5A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1952
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6401N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1521
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UVT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:4.6A€3.2A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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