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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：1140pF@10V
功率：1.8W
栅极电荷：12.5nC@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：7.8A€6.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2020USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：8.5A€6.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7607TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
