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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3

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    功率:3.1W

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

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    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:760
    加购:20
    AOS Mosfet场效应管 AO4402G
    AOS Mosfet场效应管 AO4402G

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4402G 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4402G 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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