采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€250W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：13A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：1}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€250W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：13A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€250W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：13A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
