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    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 100V
    阈值电压: 3.5V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB66916L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB66916L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB66916L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€277W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6180pF@50V

    连续漏极电流:35.5A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6294 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6294 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2265pF@50V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6294 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6294 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2265pF@50V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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