品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD8P10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:319pF@25V
连续漏极电流:980mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@980mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD8P10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€32.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:195mΩ@3.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: