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    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2780pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@380µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS115P10M5 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS115P10M5 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS115P10M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW€41W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@50V

    连续漏极电流:2A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SEQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SEQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€13.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1239pF@25V

    连续漏极电流:2.3A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@380µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:319pF@25V

    连续漏极电流:980mA

    类型:P沟道

    导通电阻:900mΩ@980mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR5410TRL 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR5410TRL 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86163P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86163P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86163P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4085pF@50V

    连续漏极电流:7.9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@380µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9110TRPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9110TRPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€32.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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