品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTBC070NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压:3V@24µA€4V@40µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流:3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTBC070NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压:3V@24µA€4V@40µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流:3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTBC070NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压:3V@24µA€4V@40µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流:3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTBC070NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压:3V@24µA€4V@40µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流:3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTBC070NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压:3V@24µA€4V@40µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流:3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS590DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€17.9W€2.6W€23.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A€4A€2.3A€4A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS590DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€17.9W€2.6W€23.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A€4A€2.3A€4A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4590DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:57mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4590DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:57mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€102W
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4590DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:57mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: