品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:56nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
功率:39W
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:153nC@10V
功率:5W€56.8W
类型:P沟道
输入电容:4620pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:46.2W
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:4290pF@20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:4290pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
功率:46.2W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1320pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
功率:5W€48W
ECCN:EAR99
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:161nC@10V
功率:3.5W€7.8W
输入电容:6670pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W€34.7W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
输入电容:1785pF@20V
栅极电荷:48nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:6110pF@10V
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
连续漏极电流:40A
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:56nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1720pF@15V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:40A
功率:5W€50W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W€34.7W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
输入电容:1785pF@20V
栅极电荷:48nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
功率:5W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:161nC@10V
功率:3.5W€7.8W
输入电容:6670pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3420pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:5W€34.7W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
输入电容:1785pF@20V
栅极电荷:48nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2730pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€54W
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
功率:5W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: