采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：206，"21+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：44600，"05+"：1400，"08+"：4968，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：44600，"05+"：1400，"08+"：4968，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
