品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD25501F3T
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.33nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB58UPE,115
功率:515mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:67mΩ@2A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:804pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD25501F3T
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.33nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.33nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":16346,"08+":15000,"10+":315000,"11+":189000,"14+":3000,"16+":27000,"17+":3000}
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
功率:1.3W
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:600mV@250µA
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
功率:490mW€4.63W
输入电容:744pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
栅极电荷:15.4nC@4.5V
输入电容:1610pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.05V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.33nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
栅极电荷:15.4nC@4.5V
输入电容:1610pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:600mV@250µA
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
栅极电荷:15.4nC@4.5V
输入电容:1610pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.63W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: