采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
输入电容：50pF@15V
栅极电荷：1.2nC@10V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
输入电容：50pF@15V
栅极电荷：1.2nC@10V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
阈值电压：1.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：256pF@25V
类型：2N沟道（双）
功率：1.64W
漏源电压：450V
阈值电压：4.5V@1mA
导通电阻：4Ω@400mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0L-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170Q-7-F
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1260UFA-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
功率：360mW
栅极电荷：0.96nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：366mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
功率：600mW€920mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1260UFA-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
功率：360mW
栅极电荷：0.96nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：366mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1260UFA-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
功率：360mW
栅极电荷：0.96nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：366mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：256pF@25V
类型：2N沟道（双）
功率：1.64W
漏源电压：450V
阈值电压：4.5V@1mA
导通电阻：4Ω@400mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170Q-7-F
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
功率：600mW€920mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
漏源电压：50V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170Q-13-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
输入电容：50pF@15V
栅极电荷：1.2nC@10V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
阈值电压：1.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW€920mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
