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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订2000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订2000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订14个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订14个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    功率:3.57W€26.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    功率:3.57W€26.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:985pF@15V

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG20P03-TP

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1750pF@15V

    栅极电荷:28.7nC@10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:21W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17578Q3AT

    功率:3.2W€37W

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:22.2nC@10V

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:985pF@15V

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:900pF@15V

    类型:2个N通道(半桥)

    功率:6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    连续漏极电流:20A

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    功率:3.2W€29W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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