品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG20P03-TP
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:1750pF@15V
栅极电荷:28.7nC@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:21W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17578Q3AT
功率:3.2W€37W
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:22.2nC@10V
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:900pF@15V
类型:2个N通道(半桥)
功率:6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: