采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
输入电容：961pF@15V
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
栅极电荷：12.3nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
输入电容：961pF@15V
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
栅极电荷：12.3nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N+P-Channel
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：N-Channel
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316GTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
