品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
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导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:2个P沟道(双)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
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输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:370mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:370mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:370mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: