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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT700P08D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1591pF@40V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：37，"22+"：5000，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：37，"22+"：5000，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
