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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
