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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，320mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ250DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V€840pF@30V
连续漏极电流：14A€38A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.2mΩ@10A，10V€12.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-TP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
导通电阻：3.75Ω@10V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
