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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
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输入电容：1.49nF@50V
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类型：1个N沟道
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连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
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功率：2.2W
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
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反向传输电容：7.5pF@50V
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输入电容：1.173nF@25V
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导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
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功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
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功率：2.2W
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输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
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功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
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功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
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功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
