品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
功率:1.9W€12.5W
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
栅极电荷:40nC@4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
功率:1.9W€12.5W
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
栅极电荷:40nC@4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: