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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：225pF@15V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：15nC@4.5V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
