采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1016X-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：750pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD223PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5μA
栅极电荷：620pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：2个P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：600pC@4.5V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
