品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:140mΩ@10V,2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3424
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
输入电容:270pF@15V
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: