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    品牌: VISHAY
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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