采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，320mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，350mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
功率：480mW
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
功率：480mW
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，350mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT7G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2335
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNEYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
