品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
功率:33W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:923pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8822
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
导通电阻:18mΩ@10V,7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: