首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    ST
    包装方式
    工作温度
    连续漏极电流
    37A
    行业应用
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~+150℃
    连续漏极电流: 37A
    当前匹配商品:7
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STHU32N65DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU32N65DM6AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.211nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:97mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧