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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86240
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功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86240
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功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
导通电阻：16mΩ@9A，10V
功率：1.17W
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8.56nC@5V
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.57nF@75V
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：2.5W€5W
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
