品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@50V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存: