首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:54
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订600个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订600个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订81个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订81个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:81
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8K1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RUR040N02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RUR040N02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUR040N02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1347
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3477-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:870
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1345-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    ROHM Mosfet场效应管 RUR040N02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RUR040N02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1626

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUR040N02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6K4TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6K4TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧