采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8129，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSL020P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF6E045AJTCR
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：N-Channel
导通电阻：23.7mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3781，"17+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3457-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N-Channel
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N-Channel
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：P-Channel
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N-Channel
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19895}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N58NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：129pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：P-Channel
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N58NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：129pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040AJTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
